Numărul de produs al producătorului:
RDN050N20FU6
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RDN050N20FU6-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
Inventar:
13527298
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RDN050N20FU6 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
720mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
292 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FN
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
RDN050
Informații suplimentare
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RZL025P01TR
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
SCT2280KEC
SICFET N-CH 1200V 14A TO247
RDN080N25FU6
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
