Numărul de produs al producătorului:
RQ3E150BNTB
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RQ3E150BNTB-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
13526646
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RQ3E150BNTB Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Ta), 39A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 17W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSMT (3.2x3)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
RQ3E150
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RQ3E150BNTBCT
RQ3E150BNTBDKR
RQ3E150BNTBTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TPH3R003PL,LQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
2956
DiGi NUMĂR DE PARTE
TPH3R003PL,LQ-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RSE002P03TL
MOSFET P-CH 30V 200MA EMT3
RDD023N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
RSQ015P10TR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6