Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
RSE002P03TL
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RSE002P03TL-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 200MA EMT3
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Inventar:
2734 Piese Noi Originale În Stoc
13526649
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RSE002P03TL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
30 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
EMT3
Pachet / Carcasă
SC-75, SOT-416
Numărul de bază al produsului
RSE002
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
RSE002P03
Informații suplimentare
Alte nume
RSE002P03TLTR
RSE002P03TLDKR
RSE002P03TLCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSH201,215
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
23617
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSH201,215-DG
PREȚ UNIC
0.08
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
RE1E002SPTCL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
3548
DiGi NUMĂR DE PARTE
RE1E002SPTCL-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RDD023N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
RSQ015P10TR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
RSQ045N03TR
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
RQ5E040AJTCL
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3