RQ3E100ATTB

Numărul de produs al producătorului:

RQ3E100ATTB

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

RQ3E100ATTB-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT

Descriere detaliată:

P-Channel 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventar:

8342 Piese Noi Originale În Stoc

13526327

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

RQ3E100ATTB Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

ROHM Semiconductor

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

10A (Ta), 31A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

11.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

42 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1900 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2W (Ta)

Temperatura

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-HSMT (3.2x3)

Pachet / Carcasă

8-PowerVDFN

Numărul de bază al produsului

RQ3E100

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

RQ3E100ATTBDKR

RQ3E100ATTBCT

RQ3E100ATTBTR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

rohm-semi

RTR040N03TL

MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3

rohm-semi

RZF020P01TL

MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3

rohm-semi

RP1E100XNTR

MOSFET N-CH 30V 10A MPT6

rohm-semi

RZF030P01TL

MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3