Numărul de produs al producătorului:
RP1E100XNTR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RP1E100XNTR-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Inventar:
13526335
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RP1E100XNTR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
MPT6
Pachet / Carcasă
6-SMD, Flat Leads
Numărul de bază al produsului
RP1E0100
Informații suplimentare
Alte nume
RP1E100XNCT
RP1E100XNTRCT
RP1E100XNTRCT-ND
RP1E100XNTRDKR
RP1E100XNDKR
RP1E100XNTRDKR-ND
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RZF030P01TL
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
RSR020N06TL
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
RXR035N03TCL
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
