Numărul de produs al producătorului:
RQ1E075XNTCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RQ1E075XNTCR-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 7.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventar:
26907 Piese Noi Originale În Stoc
13526995
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
noP7
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RQ1E075XNTCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT8
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Numărul de bază al produsului
RQ1E075
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RQ1E075XNTCRDKR
RQ1E075XNTCRTR
RQ1E075XNTCRCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SCT3022ALGC11
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
RSD201N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
RV2C014BCT2CL
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
