Numărul de produs al producătorului:
RT1A045APTCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RT1A045APTCR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventar:
13527013
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RT1A045APTCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
650mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSST
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Numărul de bază al produsului
RT1A045
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RT1A045APTCRDKR
RT1A045APTCRCT
RT1A045APTCRTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
RT1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
RQ6E040XNTCR
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
