Numărul de produs al producătorului:
RD3U060CNTL1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RD3U060CNTL1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 6A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
3773 Piese Noi Originale În Stoc
13526440
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
L0WS
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RD3U060CNTL1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
840 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
RD3U060
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RD3U060CNTL1TR
RD3U060CNTL1DKR
RD3U060CNTL1CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RQ3E130BNTB
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
QS5U17TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
