Numărul de produs al producătorului:
QS5U17TR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
QS5U17TR-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5
Inventar:
8691 Piese Noi Originale În Stoc
13526444
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
bZrR
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
QS5U17TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
175 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
900mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT5
Pachet / Carcasă
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Numărul de bază al produsului
QS5U17
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
QS5U17CT
QS5U17DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
RQ6E080AJTCR
MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F