Numărul de produs al producătorului:
RCD100N19TL
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RCD100N19TL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Descriere detaliată:
N-Channel 190 V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Inventar:
1108 Piese Noi Originale În Stoc
13526992
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RCD100N19TL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Cut Tape (CT)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
190 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
CPT3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
RCD100
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RCD100N19TLTR
RCD100N19TLDKR
RCD100N19TLCT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RD3S100CNTL1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2256
DiGi NUMĂR DE PARTE
RD3S100CNTL1-DG
PREȚ UNIC
0.88
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RQ1E075XNTCR
MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
SCT3022ALGC11
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
RSD201N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
