Numărul de produs al producătorului:
QS8J1TR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
QS8J1TR-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 4.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Inventar:
13526713
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
QS8J1TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2450pF @ 6V
Putere - Max
1.5W
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT8
Numărul de bază al produsului
QS8J1
Informații suplimentare
Alte nume
QS8J1DKR
QS8J1CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
QH8MA3TCR
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
QS6J3TR
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
QS6J1TR
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
