Numărul de produs al producătorului:
QS6J1TR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
QS6J1TR-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventar:
8830 Piese Noi Originale În Stoc
13526752
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
QS6J1TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 10V
Putere - Max
1.25W
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT6 (SC-95)
Numărul de bază al produsului
QS6J1
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
QS6J1DKR
846-QS6J1CT
QS6J1TR-ND
QS6J1DKR-ND
846-QS6J1DKR
846-QS6J1TR
QS6J1CT
QS6J1CT-ND
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SP8M3FU6TB
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
SP8M2FU6TB
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
MP6M12TCR
MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
