Numărul de produs al producătorului:
QH8MA2TCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
QH8MA2TCR-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8
Inventar:
1528 Piese Noi Originale În Stoc
13526190
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
QH8MA2TCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A, 3A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
365pF @ 10V
Putere - Max
1.25W
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT8
Numărul de bază al produsului
QH8MA2
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
QH8MA2TCRTR
QH8MA2TCRCT
QH8MA2TCRDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
