Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
QS8K21TR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
QS8K21TR-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 45V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Inventar:
8535 Piese Noi Originale În Stoc
13526258
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
QS8K21TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
45V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.4nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
460pF @ 10V
Putere - Max
550mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT8
Numărul de bază al produsului
QS8K21
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
TSMT8D Inner Structure
Documente de fiabilitate
TSMT8 MOS Reliability Test
Fișe tehnice
QS8K21TR
TSMT8 TR Taping Spec
Informații suplimentare
Alte nume
QS8K21TR-ND
846-QS8K21TR
846-QS8K21CT
846-QS8K21DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
QS6M3TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
SH8K10SGZETB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/8.5A 8SOP
SP8M5FRATB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
SP8M5TB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP