Numărul de produs al producătorului:
QH8M22TCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
QH8M22TCR-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 40V 4.5A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventar:
18281 Piese Noi Originale În Stoc
13526163
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
WQAm
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
QH8M22TCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A (Ta), 2A (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Putere - Max
1.1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT8
Numărul de bază al produsului
QH8M22
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
QH8M22TCRTR
QH8M22TCRCT
QH8M22TCRDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
US6M2GTR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
SP8K3FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP