Numărul de produs al producătorului:
HP8K22TB
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
HP8K22TB-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
4757 Piese Noi Originale În Stoc
13525026
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
HP8K22TB Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
-
Configurație
2 N-Channel (Half Bridge)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27A, 57A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16.8nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 15V
Putere - Max
25W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSOP
Numărul de bază al produsului
HP8K22
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
HP8K22TBCT
HP8K22TBDKR
HP8K22TBTR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SP8M51TB1
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
TT8M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST
SP8K1FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
