NP80N04KHE-E1-AZ
Numărul de produs al producătorului:

NP80N04KHE-E1-AZ

Product Overview

Producător:

Renesas

DiGi Electronics Cod de parte:

NP80N04KHE-E1-AZ-DG

Descriere:

NP80N04KHE-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263-3

Inventar:

800 Piese Noi Originale În Stoc
12977108
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

NP80N04KHE-E1-AZ Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-NP80N04KHE-E1-AZ
Pachet standard
182

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
renesas-electronics-america

RJK0601DPN-E0#T2

RJK0601DPN - N-CHANNEL MOSFET 60

renesas-electronics-america

RQA0005AQS#H1

RQA0005 - N-CHANNEL POWER MOSFET

international-rectifier

IRFZ46ZSPBF

IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE

renesas-electronics-america

RJL5014DPP-E0#T2

RJL5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA