IRFZ46ZSPBF
Numărul de produs al producătorului:

IRFZ46ZSPBF

Product Overview

Producător:

International Rectifier

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFZ46ZSPBF-DG

Descriere:

IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 51A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

800 Piese Noi Originale În Stoc
12977121
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRFZ46ZSPBF Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13.6mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1460 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
82W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Informații suplimentare

Alte nume
2156-IRFZ46ZSPBF
Pachet standard
422

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
renesas-electronics-america

RJL5014DPP-E0#T2

RJL5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA

renesas-electronics-america

2SK1958-T1-A

2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET

onsemi

2SJ635-TL-E

2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFE

onsemi

NTEFD3KS25NTDG

NTEFD3KS25 - NCH 20V 25A WLCSP D