PSMB050N10NS2_R2_00601
Numărul de produs al producătorului:

PSMB050N10NS2_R2_00601

Product Overview

Producător:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PSMB050N10NS2_R2_00601-DG

Descriere:

100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 120A (Tj) 138W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventar:

772 Piese Noi Originale În Stoc
12989031
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PSMB050N10NS2_R2_00601 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3910 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
138W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
PSMB050N10

Informații suplimentare

Alte nume
3757-PJMB050N10NS2_R2_00601TR-DG
3757-PJMB050N10NS2_R2_00601DKR-DG
3757-PJMB050N10NS2_R2_00601CT-DG
3757-PJMB050N10NS2_R2_00601TR
3757-PJMB050N10NS2_R2_00601CT
PJMB050N10NS2_R2_00601
3757-PJMB050N10NS2_R2_00601DKR
3757-PSMB050N10NS2_R2_00601TR
3757-PSMB050N10NS2_R2_00601CT
3757-PSMB050N10NS2_R2_00601DKR
Pachet standard
800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
panjit

PJMH074N60FRC_T0_00601

600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER

panjit

PSMP050N10NS2_T0_00601

100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET

panjit

PJMH190N60E1_T0_00601

600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D

anbon-semiconductor

BSS138

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE