Numărul de produs al producătorului:

PJMH190N60E1_T0_00601

Product Overview

Producător:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PJMH190N60E1_T0_00601-DG

Descriere:

600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D

Descriere detaliată:

N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventar:

1436 Piese Noi Originale În Stoc

12989056

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

PJMH190N60E1_T0_00601 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

PANJIT

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

20.6A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1410 pF @ 400 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

160W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247AD

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

PJMH190

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

3757-PJMH190N60E1_T0_00601

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

anbon-semiconductor

BSS138

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

infineon-technologies

IMT65R057M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

IMT65R107M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

diodes

DMN3030LFG-13

DMN3030LFG-13