PJMH190N60E1_T0_00601
Numărul de produs al producătorului:

PJMH190N60E1_T0_00601

Product Overview

Producător:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PJMH190N60E1_T0_00601-DG

Descriere:

600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventar:

1436 Piese Noi Originale În Stoc
12989056
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PJMH190N60E1_T0_00601 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1410 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
PJMH190

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
3757-PJMH190N60E1_T0_00601
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
anbon-semiconductor

BSS138

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

infineon-technologies

IMT65R057M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

IMT65R107M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

diodes

DMN3030LFG-13

DMN3030LFG-13