Numărul de produs al producătorului:
PJP100P03_T0_00001
Product Overview
Producător:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PJP100P03_T0_00001-DG
Descriere:
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 15.8A (Ta), 100A (Tc) 2W (Ta), 119W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12974594
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PJP100P03_T0_00001 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15.8A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6067 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 119W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
PJP100
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3757-PJP100P03_T0_00001
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHK075N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
NTTFS034N15MC
PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33
NTTFS030N10GTAG
100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
