SIHK075N60E-T1-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIHK075N60E-T1-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHK075N60E-T1-GE3-DG

Descriere:

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PowerPAK®10 x 12

Inventar:

2025 Piese Noi Originale În Stoc
12974597
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
ZRpm
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHK075N60E-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2582 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK®10 x 12
Pachet / Carcasă
8-PowerBSFN

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
742-SIHK075N60E-T1-GE3CT
742-SIHK075N60E-T1-GE3TR
742-SIHK075N60E-T1-GE3DKR
Pachet standard
2,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

NTTFS034N15MC

PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33

onsemi

NTTFS030N10GTAG

100V MVSOA IN U8FL PACKAGE

onsemi

NVMFS5H610NLT1G

T8 60V LOW COSS

onsemi

FDMC5614P-B8

FET -60V 100.0 MOHM MLP33