PJD80N03_L2_00001
Numărul de produs al producătorului:

PJD80N03_L2_00001

Product Overview

Producător:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PJD80N03_L2_00001-DG

Descriere:

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 80A (Tc) 2W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventar:

RFQ Online
12970154
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PJD80N03_L2_00001 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Ta), 80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1323 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
PJD80

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
PJU80N03 / PJD80N03

Informații suplimentare

Alte nume
3757-PJD80N03_L2_00001TR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
panjit

PJD11N06A_L2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nexperia

PMH850UPEH

MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3

panjit

PJL9425_R2_00001

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJC7002H_R1_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M