Numărul de produs al producătorului:
PMH850UPEH
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PMH850UPEH-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 600mA (Ta) 660mW (Ta), 2.23W (Tc) Surface Mount DFN0606-3
Inventar:
4228 Piese Noi Originale În Stoc
12970165
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PMH850UPEH Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
62.2 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
660mW (Ta), 2.23W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DFN0606-3
Pachet / Carcasă
3-XFDFN
Numărul de bază al produsului
PMH850
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1727-PMH850UPEHDKR
935690961125
5202-PMH850UPEHTR
1727-PMH850UPEHCT
1727-PMH850UPEHTR
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJL9425_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJC7002H_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJW7N04-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
