Numărul de produs al producătorului:
NVMFWS2D3P04M8LT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVMFWS2D3P04M8LT1G-DG
Descriere:
MV8 P INITIAL PROGRAM
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
12974609
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVMFWS2D3P04M8LT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31A (Ta), 222A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 2.7mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5985 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 205W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN, 5 Leads
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GDKR
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GTR
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GCT
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NVMFS2D3P04M8LT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
95
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
PREȚ UNIC
1.45
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
RS1G201ATTB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
7266
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1G201ATTB1-DG
PREȚ UNIC
1.12
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJMD990N65EC_L2_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
PJQ4465AP_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IV1Q12160T4
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
