Numărul de produs al producătorului:
PJQ4465AP_R2_00001
Product Overview
Producător:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PJQ4465AP_R2_00001-DG
Descriere:
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 5A (Ta), 16A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Inventar:
12974626
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PJQ4465AP_R2_00001 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Ta), 16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1256 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DFN3333-8
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
PJQ4465
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3757-PJQ4465AP_R2_00001TR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IV1Q12160T4
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
NVMFS005N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL
NVTFS015P03P8ZTAG
PT8P PORTFOLIO EXPANSION
