Numărul de produs al producătorului:
NTMFS4D2N10MDT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTMFS4D2N10MDT1G-DG
Descriere:
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 16.4A (Ta), 113A (Tc) 2.8W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
12950497
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTMFS4D2N10MDT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16.4A (Ta), 113A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 239µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 132W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN, 5 Leads
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NTMFS4D2N10MDT1GTR
488-NTMFS4D2N10MDT1GDKR
488-NTMFS4D2N10MDT1GCT
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RS6P100BHTB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2725
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS6P100BHTB1-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTMT110N65S3HF
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTHL095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTP125N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE