Numărul de produs al producătorului:
NTP165N65S3H
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTP165N65S3H-DG
Descriere:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
523 Piese Noi Originale În Stoc
12950501
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTP165N65S3H Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.6mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1808 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
142W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NTP165N65S3H
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
MSJP20N65A-BP
PRODUCĂTOR
Micro Commercial Co
CANTITATE DISPONIBILĂ
30050
DiGi NUMĂR DE PARTE
MSJP20N65A-BP-DG
PREȚ UNIC
1.47
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTP067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTBGS002N06C
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
NTH4LN095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
