NTMFS0D6N03CT1G
Numărul de produs al producătorului:

NTMFS0D6N03CT1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTMFS0D6N03CT1G-DG

Descriere:

MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 60A (Ta), 433A (Tc) 3.9W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventar:

3296 Piese Noi Originale În Stoc
12950510
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

NTMFS0D6N03CT1G Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Ta), 433A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.62mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 280µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10500 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.9W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN, 5 Leads

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
488-NTMFS0D6N03CT1GTR
488-NTMFS0D6N03CT1GDKR
488-NTMFS0D6N03CT1GCT
Pachet standard
1,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

NTHL067N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

stmicroelectronics

SCTW40N120G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

stmicroelectronics

STL260N4LF7

N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.

stmicroelectronics

SCTH70N120G2V-7

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120