Numărul de produs al producătorului:
NTHL067N65S3H
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTHL067N65S3H-DG
Descriere:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12950511
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTHL067N65S3H Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3.9mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3750 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
266W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NTHL067N65S3H
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NTH4LN067N65S3H
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
361
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTH4LN067N65S3H-DG
PREȚ UNIC
4.45
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
STL260N4LF7
N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
SCTH70N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
