Numărul de produs al producătorului:
NTMD4820NR2G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTMD4820NR2G-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 4.9A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12842602
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTMD4820NR2G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.9A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
940pF @ 15V
Putere - Max
750mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
NTMD4820
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NTMD4820NR2G-DG
NTMD4820NR2GOSTR
2156-NTMD4820NR2G-OS
ONSONSNTMD4820NR2G
NTMD4820NR2GOSCT
NTMD4820NR2GOSDKR
2832-NTMD4820NR2GTR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTLJD3181PZTAG
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
NDS9948
MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
NTLJD3183CZTBG
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
