Numărul de produs al producătorului:
NTMFD6H852NLT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTMFD6H852NLT1G-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 80V 0.295A 8DFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 80V 295mA 250mW (Ta) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Inventar:
12842728
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTMFD6H852NLT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
-
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
295mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
26pF @ 20V
Putere - Max
250mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Pachet dispozitiv furnizor
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Numărul de bază al produsului
NTMFD6
Informații suplimentare
Alte nume
488-NTMFD6H852NLT1GTR
488-NTMFD6H852NLT1GDKR
488-NTMFD6H852NLT1GCT
2832-NTMFD6H852NLT1GTR
2832-NTMFD6H852NLT1G-488
NTMFD6H852NLT1G-DG
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJ500EPTR
MOSFET N/P-CH 40V DPAK
NTMFD4C87NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
NVMFD5C650NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
