Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
NTJD4158CT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTJD4158CT1G-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V, 20V 250mA, 880mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventar:
14230 Piese Noi Originale În Stoc
12840115
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTJD4158CT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V, 20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
250mA, 880mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
33pF @ 5V
Putere - Max
270mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SC-88/SC70-6/SOT-363
Numărul de bază al produsului
NTJD4158
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
NTJD4158CT1G-DG
Fișe tehnice
NTJD4158CT1G
Informații suplimentare
Alte nume
NTJD4158CT1G-DG
NTJD4158CT1GOSTR
NTJD4158CT1GOSDKR
=NTJD4158CT1GOSCT-DG
NTJD4158CT1GOSCT
Q3836699Z
ONSONSNTJD4158CT1G
2156-NTJD4158CT1G-OS
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MVDF2C03HDR2G
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
MCH6662-TL-W
MOSFET 2N-CH 20V 2A SC88FL
QJD1210SA2
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
ECH8651R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH