Numărul de produs al producătorului:

QJD1210SA2

Product Overview

Producător:

Powerex Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

QJD1210SA2-DG

Descriere:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

Descriere detaliată:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module

Inventar:

RFQ Online

12840189

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

QJD1210SA2 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Powerex

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tehnologie

Silicon Carbide (SiC)

Configurație

2 N-Channel (Dual)

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200V (1.2kV)

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

100A

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 34mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 15V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

8200pF @ 10V

Putere - Max

415W

Temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet / Carcasă

Module

Pachet dispozitiv furnizor

Module

Numărul de bază al produsului

QJD1210

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

QJD1210SA2 Preliminary Datasheet Next Generation Power Semiconductors Brief

Informații suplimentare

Pachet standard

1

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

ECH8651R-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH

FDC6320C

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6

onsemi

NTLGD3502NT1G

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

onsemi

MCH6604-TL-E

MOSFET 2N-CH 50V 0.25A 6MCPH