NTH4L067N65S3H
Numărul de produs al producătorului:

NTH4L067N65S3H

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTH4L067N65S3H-DG

Descriere:

SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Inventar:

12974438
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

NTH4L067N65S3H Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3.9mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3750 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
266W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-4L
Pachet / Carcasă
TO-247-4

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
488-NTH4L067N65S3H
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
NTH4LN067N65S3H
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
361
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTH4LN067N65S3H-DG
PREȚ UNIC
4.45
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
panjit

PJE8400_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

microchip-technology

MSC750SMA170SA

MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK

vishay-siliconix

SUD50N04-8M8P-4BE3

MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK

onsemi

NVBGS1D2N08H

T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT