Numărul de produs al producătorului:
NVBGS1D2N08H
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVBGS1D2N08H-DG
Descriere:
T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 43A (Ta), 290A (Tc) 5.7W (Ta), 259W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventar:
12974451
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVBGS1D2N08H Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
43A (Ta), 290A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.34mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 650µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10830 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.7W (Ta), 259W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK-7
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NVBGS1D2N08HTR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NVMTS1D2N08H
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVMTS1D2N08H-DG
PREȚ UNIC
2.83
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DI040P04PT-AQ
MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
PJMP360N60EC_T0_00001
600V SUPER JUNCITON MOSFET
PJMF900N60EC_T0_00001
600V SUPER JUNCITON MOSFET
