Numărul de produs al producătorului:
NTH4L015N065SC1
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTH4L015N065SC1-DG
Descriere:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 142A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventar:
219 Piese Noi Originale În Stoc
12964153
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTH4L015N065SC1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
142A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 25mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
283 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4790 pF @ 325 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-4L
Pachet / Carcasă
TO-247-4
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NTH4L015N065SC1DKR
488-NTH4L015N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L015N065SC1TR
488-NTH4L015N065SC1CT-DG
488-NTH4L015N065SC1CT
488-NTH4L015N065SC1DKR-DG
488-NTH4L015N065SC1
488-NTH4L015N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L015N065SC1TR-DG
2156-NTH4L015N065SC1
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVBLS1D7N08H
MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
PJA3402-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET
SQJQ144AER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
