SQJQ144AER-T1_GE3
Numărul de produs al producătorului:

SQJQ144AER-T1_GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SQJQ144AER-T1_GE3-DG

Descriere:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 575A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Inventar:

979 Piese Noi Originale În Stoc
12964204
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SQJQ144AER-T1_GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
575A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9020 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
600W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 8 x 8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 8 x 8

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
742-SQJQ144AER-T1_GE3CT
742-SQJQ144AER-T1_GE3DKR
742-SQJQ144AER-T1_GE3TR
Pachet standard
2,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

NTPF125N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

panjit

PJC7401_R1_00001

SOT-323, MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J374R,LXHF

SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10

vishay-siliconix

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8