Numărul de produs al producătorului:
NTD4960N-35G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTD4960N-35G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12840725
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTD4960N-35G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.9A (Ta), 55A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
IPAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numărul de bază al produsului
NTD49
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NTD4960N-35GOS
2156-NTD4960N-35G-ON
ONSONSNTD4960N-35G
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD090N03LGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
94138
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD090N03LGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
NTMFS4823NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
NVTFS5824NLTAG
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
