Numărul de produs al producătorului:
FQB17P10TM
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQB17P10TM-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 16.5A (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12840738
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQB17P10TM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.75W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FQB1
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTA18P10T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA18P10T-DG
PREȚ UNIC
1.63
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF5210STRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7933
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF5210STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTMFS4823NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
NVTFS5824NLTAG
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
NVMFS6H864NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
