NTB13N10T4G

Numărul de produs al producătorului:

NTB13N10T4G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTB13N10T4G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

Descriere detaliată:

N-Channel 100 V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK

Inventar:

RFQ Online

12847860

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NTB13N10T4G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

13A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

550 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

64.7W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

D2PAK

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numărul de bază al produsului

NTB13

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

NTB13N10T4GOS

Pachet standard

800

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FDMS7660AS

MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN

onsemi

FDMS003N08C

MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56

alpha-and-omega-semiconductor

AOL1206

MOSFET N-CH 30V 16A/54A ULTRASO8

onsemi

NTD5867NL-1G

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK