NTD5867NL-1G

Numărul de produs al producătorului:

NTD5867NL-1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTD5867NL-1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 60 V 20A (Tc) 36W (Tc) Through Hole IPAK

Inventar:

RFQ Online

12847869

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NTD5867NL-1G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

675 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

36W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

IPAK

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numărul de bază al produsului

NTD58

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

NTD5867NL-1G-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

NTD5867NL-1G-DG

NTD5867NL-1GOS

NTD5867NL1G

2156-NTD5867NL-1G-ON

Pachet standard

75

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTBV45N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

onsemi

NDS355AN-NB9L007A

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

onsemi

NTMFS4C06NT1G

MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN

onsemi

FQD16N25CTM_F080

MOSFET N-CH 250V 16A DPAK