Numărul de produs al producătorului:
NDS9925A
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NDS9925A-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 4.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12856690
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NDS9925A Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
900mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
NDS992
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF7103TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
9567
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF7103TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTHD4502NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
NTQD6866R2G
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
