Numărul de produs al producătorului:
NTZD3155CT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTZD3155CT1G-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Inventar:
55534 Piese Noi Originale În Stoc
12856742
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTZD3155CT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
540mA, 430mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 16V
Putere - Max
250mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-563
Numărul de bază al produsului
NTZD3155
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2832-NTZD3155CT1GTR
NTZD3155CT1GOSTR
NTZD3155CT1GOSDKR
NTZD3155CT1GOSCT
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NDS9959
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
NVMFD5C680NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
VEC2315-TL-H
MOSFET 2P-CH 60V 2.5A SOT28
