Numărul de produs al producătorului:
NDS9407_G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NDS9407_G-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12857767
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NDS9407_G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
732 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
NDS940
Informații suplimentare
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVD5117PLT4G-VF01
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
NTD5865NL-1G
MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
NTMFD4C50NT1G
MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
