Numărul de produs al producătorului:
NVD5117PLT4G-VF01
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVD5117PLT4G-VF01-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12857770
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVD5117PLT4G-VF01 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
NVD5117
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NVD5117PLT4G-VF01TR
NVD5117PLT4G-VF01DKR
2832-NVD5117PLT4G-VF01TR
NVD5117PLT4G-VF01CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTD5865NL-1G
MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
NTMFD4C50NT1G
MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
NTTFS002N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN
