Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
NDD60N550U1T4G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NDD60N550U1T4G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 8.2A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
RFQ Online
12856779
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NDD60N550U1T4G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
94W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
NDD60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
NDD60N550U1T4G-DG
Fișe tehnice
NDD60N550U1T4G
Informații suplimentare
Alte nume
2156-NDD60N550U1T4G-ONTR
ONSONSNDD60N550U1T4G
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK560P65Y,RQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
4898
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK560P65Y,RQ-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK11P65W,RQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
485
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK11P65W,RQ-DG
PREȚ UNIC
0.74
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SPD07N60C3ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4363
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPD07N60C3ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.96
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK10P60W,RVQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
5042
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK10P60W,RVQ-DG
PREȚ UNIC
1.18
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SIHD7N60E-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
135
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHD7N60E-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.74
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTD4860N-1G
MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
NTLUS4930NTBG
MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN
NVMFS5C456NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 22A/87A 5DFN
NTMS7N03R2
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC