Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SIHD7N60E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHD7N60E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
135 Piese Noi Originale În Stoc
13006727
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHD7N60E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Bulk
Serie
-
Ambalaj
Bulk
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SIHD7
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD10N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
6542
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD10N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AOD7S60
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4907
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOD7S60-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STD11N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1905
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD11N60DM2-DG
PREȚ UNIC
0.67
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STD10NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2200
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD10NM60ND-DG
PREȚ UNIC
0.83
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STD10NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
6369
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD10NM60N-DG
PREȚ UNIC
1.17
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
SIRA12BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
SIHG22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
SIRA16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8