Numărul de produs al producătorului:
IRL640A
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
IRL640A-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
97975 Piese Noi Originale În Stoc
12847790
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRL640A Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1705 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRL640
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRL640A
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRL640PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5642
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRL640PBF-DG
PREȚ UNIC
0.93
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF200B211
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4746
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF200B211-DG
PREȚ UNIC
0.51
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD8882
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
FDP6030BL
MOSFET N-CH 30V 40A TO220-3
NTB27N06LT4
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK