HUFA76619D3
Numărul de produs al producătorului:

HUFA76619D3

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

HUFA76619D3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 18A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

12849393
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

HUFA76619D3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
UltraFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
767 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I-PAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
HUFA76

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
75

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRLU024NPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1893
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLU024NPBF-DG
PREȚ UNIC
0.30
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFU3910PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3219
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFU3910PBF-DG
PREȚ UNIC
0.36
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

FQB32N20CTM

MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK

onsemi

FQPF20N06L

MOSFET N-CH 60V 15.7A TO220F

onsemi

FQP7N40

MOSFET N-CH 400V 7A TO220-3

onsemi

FDC653N

MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6